MOSFET Infineon IPD042P03L3GATMA1, VDSS 30 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 825-9051Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPD042P03L3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

OptiMOS P

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

131 nC a 10 V

Anchura

5.97mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.41mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
Chapado sin plomo; compatible con RoHS
Encapsulados estándar
Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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20€ 28,52
30€ 42,78
40€ 57,04
50€ 71,30
60€ 85,56
70€ 99,82
80€ 114,07
90€ 128,33
100€ 142,59
110€ 156,85
120€ 171,11
130€ 185,37
140€ 199,63
150€ 213,89

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OptiMOS P

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

131 nC a 10 V

Anchura

5.97mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.41mm

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MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon

Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora
Avalancha nominal
Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación
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