AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24W256-G, 8 pines, SOIC, El Cable 2 de serie, Serial-I2C, 256kbit, 32K x 8 bits,
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32K x 8 bit
Tipo de Interfaz
Serial-2 Wire, Serial-I2C
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
3000ns
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Profundidad
3.98mm
Altura
1.48mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
32K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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€ 46,23
€ 4,62 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 46,23
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Empaque de Producción (Tubo)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 10 - 49 | € 4,62 |
| 50 - 99 | € 4,51 |
| 100 - 499 | € 4,24 |
| 500+ | € 4,13 |
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Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud
4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Profundidad
3.98mm
Altura
1.48mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Número de Palabras
32K
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Número de Bits de Palabra
8bit
Estándar de automoción
AEC-Q100
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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