Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor FQPF5N60C, VDSS 600 V, ID 4,5 A, TO-220F de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
33 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
9.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
Price on asking
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
33 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Altura
9.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C