Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 25 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 463,52
€ 0,046 Each (On a Reel of 10000) (Sin IVA)
10000
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
1.4 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto