Fototransistor NPN ams OSRAM TOPLED sensible a IR, rango onda λ 750 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. SMD, PLCC
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
7µs
Tiempo de Subida Típico
7µs
Número de Canales
1
Maximum Light Current
1000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
120 °
Polarity
NPN
Número de Pines
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
PLCC
Dimensiones
3.4 x 3 x 2mm
Corriente del Colector
15mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
750nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1120nm
Rango Espectral de Sensibilidad
750 → 1120 nm
Altura
2mm
Longitud
3.4mm
Series
TOPLED
Profundidad
3mm
Datos del producto
Phototransistor TOPLED® Package
Esta familia de fototransistores NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie TOPLED®. Los fototransistores TOPLED® tienen un encapsulado PLCC-2 de montaje superficial (SMD) con lente difusa de luz diurna o transparente.
Características de los fototransistores TOPLED®:
Alta linealidad
Encapsulado PLCC-2
Montaje superficial (SMD)
Medio ángulo: 60°
Ideal para todos los procedimientos de soldadura
IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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Ángulo de Sensibilidad Media
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Tipo de montaje
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Encapsulado
PLCC
Dimensiones
3.4 x 3 x 2mm
Corriente del Colector
15mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
750nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
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Rango Espectral de Sensibilidad
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Altura
2mm
Longitud
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Profundidad
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Características de los fototransistores TOPLED®:
Alta linealidad
Encapsulado PLCC-2
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