MOSFET Wolfspeed C3M0120090D, VDSS 900 V, ID 23 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
WolfspeedTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
97 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +18 V
Profundidad
21.1mm
Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.13mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,3 nC a 15 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.21mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente
MOSFET Transistors, Wolfspeed
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€ 41,59
€ 8,32 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Empaque de Producción (Tubo)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 5 - 9 | € 8,32 |
| 10 - 29 | € 8,12 |
| 30 - 89 | € 7,90 |
| 90+ | € 7,72 |
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.8V
Disipación de Potencia Máxima
97 W
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-8 V, +18 V
Profundidad
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Material del transistor
SiC
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.21mm
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-55 °C
Tensión de diodo directa
4.8V
País de Origen
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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed
MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema
• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
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