MOSFET Wolfspeed C2M0080120D, VDSS 1.200 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 809-8991Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C2M0080120D
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

31,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1200 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

208 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Profundidad

5.21mm

Material del transistor

SiC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

49,2 nC a 20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Largo

16.13mm

Altura

21.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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2€ 61,27
3€ 91,90
4€ 122,54
5€ 153,17
6€ 171,84
7€ 200,48
8€ 229,12
9€ 257,76
10€ 286,40
11€ 315,04
12€ 343,68
13€ 372,32
14€ 400,96
15€ 419,04

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N

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TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

208 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

208000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +25 V

Profundidad

5.21mm

Material del transistor

SiC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

49,2 nC a 20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Largo

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Altura

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Temperatura de Funcionamiento Mínima

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MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

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