Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3,75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 71,51
€ 2,861 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
€ 71,51
€ 2,861 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
25 - 45 | € 2,861 | € 14,30 |
50 - 120 | € 2,692 | € 13,46 |
125 - 245 | € 2,527 | € 12,64 |
250+ | € 2,02 | € 10,10 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3,75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto