MOSFET Vishay SiS590DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble de 8 pines, 2elementos

Código de producto RS: 228-2925PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SiS590DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8 doble

Series

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.167 O, 0.251 O

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5 V, 2.5 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

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€ 87,60

€ 0,876 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
100 - 240€ 0,876€ 8,76
250 - 490€ 0,792€ 7,92
500 - 990€ 0,746€ 7,46
1000+€ 0,699€ 6,99

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4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8 doble

Series

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0.167 O, 0.251 O

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

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