MOSFET Vishay SIR462DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 19 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
4.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.89mm
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.04mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1.287,98
€ 0,429 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
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