MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 121-9656Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIHG20N50E-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Series

E Series

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

179 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Ancho

5.31mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.82mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 6,73

€ 3,367 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2€ 6,73
4€ 13,47
6€ 20,20
8€ 26,94
10€ 33,67
12€ 40,41
14€ 47,14
16€ 53,88
18€ 60,61
20€ 63,36
22€ 69,69
24€ 76,03
26€ 82,37
28€ 88,70
30€ 95,04

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
2 - 18€ 3,367€ 6,74
20 - 98€ 3,168€ 6,34
100 - 198€ 2,863€ 5,73
200 - 498€ 2,693€ 5,38
500+€ 2,528€ 5,06

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N

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E Series

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

179 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Ancho

5.31mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.87mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.82mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
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