MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 76,21
€ 0,762 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 76,21
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Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,762 | € 15,24 |
| 200 - 480 | € 0,702 | € 14,05 |
| 500 - 980 | € 0,552 | € 11,03 |
| 1000+ | € 0,521 | € 10,43 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.55mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
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