MOSFET Vishay SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11,5 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-50 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 63,70
€ 0,637 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 63,70
€ 0,637 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,637 | € 12,74 |
| 200 - 480 | € 0,61 | € 12,20 |
| 500 - 980 | € 0,542 | € 10,85 |
| 1000+ | € 0,508 | € 10,17 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
52.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-50 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products