Transistor MOSFET Vishay SI4500BDY-T1-E3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 6,6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Brand

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.8 A, 6.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ, 60 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11 nC a 4,5 V, 6 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Profundidad

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.55mm

País de Origen

China