MOSFET Vishay SI2328DS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1,15 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.25 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Anchura
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,45 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Modo de Canal
Mejora
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2V
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Si
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Longitud
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Anchura
1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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