MOSFET Vishay SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
0.71 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,5 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.02mm
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$ 8,57
$ 0,343 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 225 | $ 0,343 | $ 8,57 |
| 250 - 600 | $ 0,321 | $ 8,03 |
| 625 - 1225 | $ 0,292 | $ 7,29 |
| 1250 - 2475 | $ 0,275 | $ 6,88 |
| 2500+ | $ 0,256 | $ 6,41 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.85V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
0.71 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,5 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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