MOSFET Vishay IRFP360PBF, VDSS 400 V, ID 23 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.31mm
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
210 nC @ 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
20.7mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 81,54
€ 3,262 Each (In a Tube of 25) (Sin IVA)
25
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 3,262 | € 81,54 |
| 50 - 100 | € 3,197 | € 79,93 |
| 125+ | € 3,034 | € 75,85 |
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N
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23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.31mm
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
210 nC @ 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
20.7mm
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