Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 98,07
$ 4,904 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
20
$ 98,07
$ 4,904 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Tubo)
20
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
20 - 48 | $ 4,904 | $ 9,81 |
50 - 98 | $ 4,702 | $ 9,40 |
100 - 198 | $ 4,177 | $ 8,35 |
200+ | $ 3,922 | $ 7,84 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.31mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
190 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
20.82mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto