Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.7mm
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 786,11
€ 0,314 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
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VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.7mm
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.8mm
Datos del producto