Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
6.3V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 14,16
€ 1,416 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 14,16
€ 1,416 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,416 | € 14,16 |
100 - 240 | € 1,387 | € 13,87 |
250 - 490 | € 1,204 | € 12,04 |
500 - 990 | € 1,147 | € 11,47 |
1000+ | € 0,934 | € 9,34 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
6.3V
País de Origen
Philippines
Datos del producto