MOSFET Vishay IRFD110PBF, VDSS 100 V, ID 1 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Ancho
6.29mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,93
€ 0,93 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,93 |
| 10 - 49 | € 0,75 |
| 50 - 99 | € 0,70 |
| 100 - 249 | € 0,65 |
| 250+ | € 0,61 |
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Ancho
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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