MOSFET Vishay IRF9610PBF, VDSS 200 V, ID 1,8 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,51
€ 1,51 Each (Sin IVA)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,51 |
| 10 - 49 | € 1,35 |
| 50 - 99 | € 1,28 |
| 100 - 249 | € 1,13 |
| 250+ | € 1,05 |
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3 Ω
Modo de Canal
Mejora
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Si
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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