MOSFET Vishay IRF840SPBF, VDSS 500 V, ID 8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.83mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 83,79
€ 1,676 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
50
€ 83,79
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Empaque de Producción (Tubo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 1,676 | € 8,38 |
| 125 - 245 | € 1,604 | € 8,02 |
| 250 - 495 | € 1,426 | € 7,13 |
| 500+ | € 1,338 | € 6,69 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.83mm
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