MOSFET Vishay IRF710PBF, VDSS 400 V, ID 2 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 0,78
€ 0,78 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 0,78
€ 0,78 Each (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
1
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,78 |
| 10 - 49 | € 0,74 |
| 50 - 99 | € 0,54 |
| 100 - 249 | € 0,51 |
| 250+ | € 0,45 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products