MOSFET Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Longitud
3.04mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
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€ 429,43
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Montaje superficial
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3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.4mm
Longitud
3.04mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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