Transistor, TTC3710B,S4X(S, NPN 12 A 80 V TO-220SIS, 3 pines, 80 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,01
€ 1,402 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 7,01
€ 1,402 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,402 | € 7,01 |
| 25+ | € 1,191 | € 5,95 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
120
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
10 x 4.5 x 15mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Japan
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products