Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
340 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
103 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm
€ 9,69
€ 1,938 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 9,69
€ 1,938 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
340 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
170 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
103 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.95mm