MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 896-2417Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK62N60W,S1VF(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

62 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.94mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

5.02mm

Material del transistor

Si

Altura

20.95mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 9,59

$ 9,59 Each (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 9,59
2$ 19,17
3$ 28,76
4$ 38,34
5$ 47,93
6$ 57,51
7$ 67,10
8$ 76,68
9$ 86,27
10$ 78,60
11$ 86,46
12$ 94,32
13$ 102,18
14$ 110,04
15$ 117,90

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 9$ 9,59
10 - 49$ 7,86
50 - 99$ 7,19
100 - 199$ 6,72
200+$ 6,23

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N

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TK

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.94mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

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