MOSFET Toshiba TK58A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 58 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 3,65
€ 0,73 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,73 | € 3,65 |
| 50 - 95 | € 0,601 | € 3,01 |
| 100 - 245 | € 0,547 | € 2,73 |
| 250 - 495 | € 0,535 | € 2,67 |
| 500+ | € 0,525 | € 2,63 |
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N
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58 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15mm
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