MOSFET Toshiba TK31E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
TK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
86 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.45mm
Altura
15.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 175,01
€ 3,50 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,50 | € 175,01 |
| 250 - 450 | € 3,151 | € 157,54 |
| 500+ | € 2,87 | € 143,51 |
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Series
TK
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
88 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
86 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
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Altura
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