MOSFET Toshiba TK20A25D,S5X(J, VDSS 250 V, ID 20 A, TO-220SIS de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
55 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
15mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 6,49
€ 0,649 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,649 | € 6,49 |
| 30+ | € 0,616 | € 6,16 |
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
+20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.5mm
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Tensión de diodo directa
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