MOSFET Toshiba TK12P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
340 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.3mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 2.892,81
€ 1,446 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Montaje superficial
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
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-30 V, +30 V
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1
Profundidad
6.1mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Si
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