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MOSFET Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 796-5070Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK100E10N1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

207 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

140 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.1mm

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 3,55

$ 3,55 Each (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 24$ 3,55
25 - 99$ 3,35
100 - 349$ 3,20
350 - 499$ 2,85
500+$ 2,66

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Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

207 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

255000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

4.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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