Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
207 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.1mm
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
$ 3,55
$ 3,55 Each (Sin IVA)
Estándar
1
$ 3,55
$ 3,55 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 24 | $ 3,55 |
25 - 99 | $ 3,35 |
100 - 349 | $ 3,20 |
350 - 499 | $ 2,85 |
500+ | $ 2,66 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
207 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.45mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
140 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.1mm
Datos del producto