MOSFET Toshiba SSM3J356R,LF(T, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4E+008 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicon
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€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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