Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
2SK
Tipo de Encapsulado
PW Mold2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
2.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.5mm
Altura
5.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie 2SK, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,72
€ 0,286 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
€ 5,72
€ 0,286 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 40 | € 0,286 | € 5,72 |
60 - 100 | € 0,25 | € 5,01 |
120 - 220 | € 0,214 | € 4,29 |
240 - 460 | € 0,21 | € 4,19 |
480+ | € 0,204 | € 4,07 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
2SK
Tipo de Encapsulado
PW Mold2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Ancho
2.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.5mm
Altura
5.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto