Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 0.75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Ancho
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 3,02
€ 0,302 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 3,02
€ 0,302 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,302 | € 3,02 |
100 - 190 | € 0,202 | € 2,02 |
200 - 390 | € 0,183 | € 1,83 |
400+ | € 0,18 | € 1,80 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 0.75mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Altura
1.1mm
Ancho
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.