Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Series
NexFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 29,89
€ 1,196 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
€ 29,89
€ 1,196 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
25 - 95 | € 1,196 | € 5,98 |
100 - 245 | € 1,039 | € 5,19 |
250 - 495 | € 0,972 | € 4,86 |
500+ | € 0,922 | € 4,61 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Series
NexFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.7V
Disipación de Potencia Máxima
3.2 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.8mm
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto