MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10,5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
87 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 81,65
€ 2,722 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,722 | € 81,65 |
| 90 - 480 | € 2,175 | € 65,25 |
| 510 - 960 | € 1,937 | € 58,12 |
| 990 - 4980 | € 1,635 | € 49,06 |
| 5010+ | € 1,578 | € 47,35 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
87 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
20.15mm
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