MOSFET STMicroelectronics STR2P3LLH6, VDSS 30 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
1.75mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.3mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 90,34
€ 0,361 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
250
€ 90,34
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Empaque de Producción (Rollo)
250
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 250 - 450 | € 0,361 | € 18,07 |
| 500 - 1200 | € 0,325 | € 16,25 |
| 1250+ | € 0,323 | € 16,13 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
1.75mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.3mm
Tensión de diodo directa
1.1V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
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