MOSFET STMicroelectronics STP9NK50Z, VDSS 500 V, ID 7,2 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 76,66
€ 1,533 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,533 | € 76,66 |
| 100 - 450 | € 1,194 | € 59,72 |
| 500 - 950 | € 1,005 | € 50,27 |
| 1000 - 4950 | € 0,844 | € 42,19 |
| 5000+ | € 0,799 | € 39,93 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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