MOSFET STMicroelectronics STP3NK90ZFP, VDSS 900 V, ID 3 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22,7 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 3,09
€ 0,618 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 3,09
€ 0,618 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,618 | € 3,09 |
| 10 - 95 | € 0,523 | € 2,62 |
| 100 - 495 | € 0,437 | € 2,19 |
| 500 - 995 | € 0,425 | € 2,13 |
| 1000+ | € 0,416 | € 2,08 |
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N
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3 A
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Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22,7 nC a 10 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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