MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 786-3798Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STP310N10F7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET H7

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

315 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

15.75mm

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 8,82

$ 4,41 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 8,82
4$ 17,64
6$ 26,46
8$ 35,28
10$ 37,64
12$ 45,17
14$ 52,69
16$ 60,22
18$ 67,75
20$ 75,28
22$ 82,80
24$ 90,33
26$ 97,86
28$ 105,39
30$ 112,91

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18$ 67,75
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
2 - 8$ 4,41$ 8,82
10 - 98$ 3,764$ 7,53
100 - 498$ 3,318$ 6,64
500+$ 3,234$ 6,47

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N

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100 V

Series

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Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

315 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

15.75mm

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