Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 29,31
€ 0,586 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
€ 29,31
€ 0,586 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,586 | € 29,31 |
100 - 450 | € 0,44 | € 21,99 |
500 - 950 | € 0,373 | € 18,64 |
1000 - 4950 | € 0,329 | € 16,45 |
5000+ | € 0,321 | € 16,04 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto