MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, VDSS 600 V, ID 400 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5131Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STN1HNK60
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

400 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.25V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Ancho

3.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 8,76

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 20€ 0,876€ 8,76
30 - 90€ 0,831€ 8,31
100 - 490€ 0,625€ 6,25
500 - 990€ 0,53€ 5,30
1000+€ 0,425€ 4,25

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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.25V

Disipación de Potencia Máxima

3.3 W

Configuración de transistor

Single

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Material del transistor

Si

Ancho

3.5mm

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Altura

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Mínima Temperatura de Funcionamiento

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