MOSFET STMicroelectronics STL8N10LF3, VDSS 100 V, ID 20 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 41,27
€ 1,376 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
30
€ 41,27
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
30
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 30 - 90 | € 1,376 | € 13,76 |
| 100 - 490 | € 1,084 | € 10,84 |
| 500 - 990 | € 0,863 | € 8,63 |
| 1000+ | € 0,841 | € 8,41 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
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