Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
710 V
Series
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
6.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 5,19
€ 2,597 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
€ 5,19
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
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Información de stock no disponible temporalmente.
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
710 V
Series
MDmesh M5
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
6.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.