Transistor MOSFET STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5,5 A, PowerFLAT 5 x 6 HV de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 192-4825Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL10N60M6
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6 HV

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

660 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5mm

Longitud

6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,8 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

0.95mm

País de Origen

China

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€ 11,36

€ 2,271 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

Transistor MOSFET STMicroelectronics STL10N60M6, VDSS 600 V, ID 5,5 A, PowerFLAT 5 x 6 HV de 8 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 11,36
10€ 22,71
15€ 34,07
20€ 45,43
25€ 53,32
30€ 63,98
35€ 74,65
40€ 85,31
45€ 95,97
50€ 101,21
55€ 111,34
60€ 121,46
65€ 131,58
70€ 141,70
75€ 151,82

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20€ 2,271€ 11,36
25 - 45€ 2,133€ 10,66
50 - 120€ 2,024€ 10,12
125 - 245€ 1,911€ 9,56
250+€ 1,814€ 9,07

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Tipo de Canal

N

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5.5 A

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PowerFLAT 5 x 6 HV

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

660 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.75V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.25V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±25 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5mm

Longitud

6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,8 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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-55 °C

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