MOSFET STMicroelectronics STI40N65M2, VDSS 650 V, ID 32 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
32 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Series
MDmesh M2
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
99 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56,5 nC a 10 V
Altura
9.35mm
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56,5 nC a 10 V
Altura
9.35mm
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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