MOSFET STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-5861Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH3N150-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

15.8mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29,3 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.8mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 8,25

€ 4,126 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

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Producción -

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2

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2€ 8,25
4€ 16,50
6€ 24,76
8€ 33,01
10€ 41,26
12€ 49,51
14€ 57,76
16€ 66,01
18€ 74,27
20€ 82,52
22€ 90,77
24€ 99,02
26€ 107,27
28€ 115,53
30€ 123,78

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9 Ω

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Tensión de umbral de puerta máxima

5V

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3V

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Si

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