MOSFET ROHM RUM002N02T2L, VDSS 20 V, ID 200 mA, SOT-723 de 3 pines

Código de producto RS: 124-6839Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RUM002N02T2L
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Series

RUM002N02

Tipo de Encapsulado

SOT-723

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Anchura

0.9mm

Largo

1.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.45mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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$ 8,22

$ 0,082 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RUM002N02T2L, VDSS 20 V, ID 200 mA, SOT-723 de 3 pines

100

Disponible en múltiplos de 100
100$ 8,22
200$ 16,43
300$ 24,65
400$ 32,86
500$ 26,70
600$ 32,04
700$ 37,38
800$ 42,72
900$ 48,06
1000$ 46,56
1100$ 51,21
1200$ 55,87
1300$ 60,52
1400$ 65,18
1500$ 69,83

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
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500 - 900$ 0,053$ 5,34
1000 - 2400$ 0,047$ 4,66
2500 - 4900$ 0,045$ 4,52
5000+$ 0,044$ 4,38

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Tipo de Encapsulado

SOT-723

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Anchura

0.9mm

Largo

1.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Número de Elementos por Chip

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Altura

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